Intel Sapphire Rapids第四代可擴展至強雖然一再跳票，但技術上還是相當值得期待的，除了首次支持DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線，還會首次加入HBM2e高帶寬內(nèi)存，為特定應用加速。

當然，這個HBM2e內(nèi)存是可選的，不是所有型號都具備。

現(xiàn)在，我們第一次看到了它的實際表現(xiàn)，來自一顆至強鉑金8472C的樣品。

至強鉑金8472C 52核心104線程，二級緩存104MB，三級緩存97.5MB，單核、全核加速頻率分別為3.8GHz、3.0GHz，熱設計功耗PL1 350W、PL2 420W，峰值功耗764W，Tjmax溫度最高84℃。

集成的HBM2e具體容量不詳，大概率是64GB，官方曾披露會是四顆8-Hi堆疊。

作為對比的是旗艦至強鉑金8490H，滿血的60核心120線程，二級緩存120MB，三級緩存112.5MB，單核加速3.5GHz，全核加速2.9GHz，功耗指標同上，最高溫度96℃。

測試都是雙路，CPU-Z單核跑分8472C領先約6.8%，畢竟頻率略勝一籌，多核則落后2.4%，并沒有什么區(qū)別。

V-Ray測試中體現(xiàn)了HBM2e加成的威力，8472C 95014分，領先8490H 71830分多達32.3%!

由此也可以看出，HBM2e僅適用于對帶寬極為敏感的特定應用。